SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究
Research & Progress of Solid State Electronics（2021）
摘要
报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果.在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界面陷阱、固定电荷以及可移动电荷都会影响阈值电压的漂移.为了衡量器件工艺水平,精准评测器件的阈值电压漂移量,搭建测试平台进行了阈值电压漂移量测试.通过试验发现,阈值电压在应力的作用下既会发生漂移也会恢复,偏置电压去除与阈值电压测试之间的时间间隔非常重要.对阈值电压漂移量的测试应在同样的电压扫描方式、同样的时间间隔以及相同的温度下进行.
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