二元金属氧化物忆阻器的性能优化研究进展
Technology of IoT&AI（2021）
摘要
进入21世纪以来,传统计算机一直面临着数据频繁在CPU与存储器之间交换带来的功耗问题和存储墙问题.新型的存算一体化计算方式有望突破传统冯·诺依曼架构,实现低功耗、高算力的计算.忆阻器是一种具有低功耗、高速度、高密度、非易失等特点的新型电路元件,被认为是未来实现存算一体化的最佳载体.但目前忆阻器还存在功耗过大、稳定性低、器件参数波动大等诸多问题.针对这些问题,本文重点总结了四种提升忆阻器件性能的方法,包括电极优化、掺杂优化、界面优化和阻变层结构优化等,并分析这些优化方法背后的原理,得出调节氧空位浓度和分布将是未来研究重点方向的结论.
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