横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制

LIU Yan,CHEN Wei,WANG Zhongming,WANG Maocheng,WANG Di,LIU Wolong,WANG Baichuan,YANG Ye,YAO Zhibin,GUO Xiaoqiang,WANG Chenhui,BAI Xiaoyan

Modern Applie Physics（2022）

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摘要

为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析.通过对栅扫描峰值展宽机理的分析,提出了位移损伤深能级缺陷与界面浅能级缺陷之间的耦合机制.研究结果表明,当深能级与浅能级缺陷同时存在时,缺陷间的电荷转移将会显著加剧电子器件的载流子复合过程.

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