沟道层带尾态密度和厚度对a-IGZO薄膜晶体管特性影响的数值仿真
Microelectronics & Computer（2022）
Abstract
建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZOTFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3-eV-1及以上时,器件电学特性受深陷阱态影响劣化,亚阈值摆幅增加;沟道层薄膜厚度较小(＜40 nm)时,器件的转移特性良好,当沟道层薄膜厚度超过40 nm时,器件的电学特性劣化,关态电流增加,开关比降低,亚阈值摆幅增加.本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导.
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