抗辐射加固高压NMOS器件的单粒子烧毁效应研究
Atomic Energy Science and Technology（2021）
Abstract
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧毁效应(SEB).本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应.基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数.通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应.实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输(LET)阈值为83.5 MeV·cm2/mg.
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Key words
single-event burnout,linear energy transfer,high-voltage SOI NMOS,radiation-hardened
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