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一种Xilinx FPGA有效配置位保护方法

Telecommunication Engineering(2022)

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Abstract
机载电子设备中广泛采用的静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)易受到大气中子辐射的影响而发生单粒子翻转.为了提高抗干扰能力,针对SRAM型FP GA需要进行抗单粒子翻转防护,提出了一种Xilinx FP GA有效配置位的保护方法.该方法提取电路中的有效配置位,纠错电路检测到电路中发生单粒子翻转时,纠正有效配置位上发生的翻转.实验表明该方法可以有效保护Xilinx FP GA的有效配置位并提高了纠错电路的效率.
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