GaxIn1-xP氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
Semiconductor Technology（2022）
Abstract
对Ⅲ-V族化合物半导体GaxIn1_xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了 GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和GaxIn1-x P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备GaxIn1-xP材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、GaxIn1-xP太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备GaxIn1-xP材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为GaxIn1-xP的主流制备工艺.最后,对HVPE法制备GaxIn1-xP太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向.
MoreAI Read Science
Must-Reading Tree
Example
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined