谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用

МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ИЗБЫТОЧНОГО СВОБОДНОГО ОБЪЕМА НА СКОРОСТЬ ДВИЖЕНИЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В НИКЕЛЕ

Г.М. Полетаев,И.В. Каракулова, Д.И. Зюзин, Е.С. Осипова

Фундаментальные проблемы современного материаловедения(2022)

引用 0|浏览0
暂无评分
摘要
Методом молекулярной динамики проведено исследование зависимости скорости движения фронта кристаллизации в никеле от избыточного свободного объема. Расчетные ячейки имели форму вытянутых параллелепипедов. На торцах параллелепипеда кристаллическая структура была зафиксирована, что имитировало стартовое положение фронта гетерогенной кристаллизации. Рассматривались три разные ориентации фронта относительно растущего кристалла: (100), (110) и (111). Для описания межатомных взаимодействий использовался многочастичный потенциал Клери-Росато, построенный в приближении сильной связи. Свободный объем вводился в модели на начальном этапе путем задания определенной концентрации вакансий. Концентрирование избыточного свободного объема и формирование вакансионных кластеров происходило преимущественно в последнюю очередь, на заключительной стадии кристаллизации. Введение избыточного свободного объема приводило к снижению скорости кристаллизации. С одной стороны, наличие избыточного свободного объема должно приводить к снижению энергии активации самодиффузии, но, с другой стороны, по всей видимости, формирование микропор и вакансионных кластеров происходило вблизи границы растущего кристалла, вследствие чего снижался доступ атомов со стороны жидкой фазы к границе кристалла. При высоких концентрациях, составляющих несколько процентов, формирование части кластеров происходило уже на ранних стадиях роста кристалла, но большая их часть, тем не менее, располагалась в месте встречи двух фронтов от разных торцов расчетной ячейки. Быстрее кристаллизация протекала при ориентации фронта (100), медленнее – при ориентациях (110) и (111). Анизотропия скорости кристаллизации связана с разностью свободных энергий атома вблизи границы в жидкой фазе и «встроенного» в границу растущего кристалла, которая зависит от ориентации границы и, в частности, коррелирует с энергией адатома на соответствующей свободной поверхности кристалла.
更多
查看译文
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要