图形化蓝宝石衬底干法刻蚀工艺研究

为了缩短刻蚀时间以及提高发光二极管(LEDs)的发光性能,针对添加刻蚀辅助气体三氟甲烷(CHF3)的干法刻蚀工艺进行了研究.采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术并通过正交试验研究了偏压功率、CHF3流量、自动压力控制蝶阀开合度(APC)对刻蚀速率和选择比的影响.试验结果表明:当偏压功率、CHF3流量和APC分别为350W、15 sccm和55％时,制程工艺有着更大的刻蚀选择比和蓝宝石刻蚀速率.使用最佳工艺参数制备出了大尺寸、高占空比、小弧度图形化蓝宝石衬底(PSS),与常规PSS相比,优化后的工艺参数制得的PSS高度增加了5.6％、占空比提高了4.6％.