Determination of Trace Impurities in Sintered Silicon Carbide and Silicon Nitride by the Pressure Acid Decomposition/icp-Aes.

炭化ケイ素並びに窒化ケイ素焼結体中の微量不純物定量のため,テフロン製容器を用いる加圧酸分解条件について検討した.試料を粉砕すると,試料中には最大10%を超える量の粉砕容器成分が混入し,定量結果に大きく影響を及ぼすことが分かった.炭化ケイ素は硫酸+フッ化水素酸+硝酸で,窒化ケイ素はフッ化水素酸+硝酸により,24～48時間程度の時間をかければ,塊状のままで分解できることが分かった.得られた分解溶液のICP-AESにより,原料粉体と同様に精度よく焼結体中微量不純物(炭化ケイ素中22元素,窒化ケイ素中21元素)の定量が可能であった.