完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減朋子 水谷,芳樹 山本,秀樹 槇山,博文 篠原,俊明 岩松,秀一 尾田,信之 杉井,俊郎 平本IEICE technical report. Speech(2013)引用 0|浏览6暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要