SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 (シリコン材料・デバイス)卓治 細井,秀司 東雲,勇作 柏木,重敏 保坂,亮太 中村,佑紀 中野,浩和 浅原,孝 中村,恒暢 木本,考功 志村,平司 渡部IEICE technical report. Speech(2013)引用 0|浏览7暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要