依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路)隆 大澤,洋紀 小池,貞彦 三浦,啓蔵 木下,弘明 本庄,正二 池田,貴弘 羽生,英男 大野,哲郎 遠藤IEICE technical report. Speech(2014)引用 0|浏览10暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要