SONOSフラッシュメモリにおける電場誘起窒化にトラップされた電荷の横方向移動【Powered by NICT】Liu Yu-Heng,Jiang Cheng-Min,Chen Wei-Chun,Wang Tahui,Tsai Wen-Jer,Lu Tao-Cheng,Chen Kuang-Chao,Lu Chih-YuanIEEE Electron Device Letters(2017)引用 0|浏览1暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要