SrTiO3（001）衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长

近几年, 由于用分子束外延法在SrTiO3衬底表面制备的单层FeSe具有很高的超导转变温度而引发了极大的研究热潮, 随之而来的是对多层FeSe薄膜日益增长的研究兴趣. 但目前还没有对成功生长高质量多层FeSe薄膜的详细报道. 本文利用高能电子衍射仪(RHEED) 实时监控在不同生长条件下制备的多层FeSe薄膜, 发现在FeSe薄膜的生长初期, RHEED图像的强度演化基本符合台阶密度模型的描述特征, 即台阶密度 正相关于衍射条纹强度. FeSe(02)衍射条纹的强度在第一生长周期内呈现稳定而明显的峰型振荡, 而且不受高能电子掠射角的影响, 最适合用来标定FeSe薄膜的厚度. 结合扫描隧道显微镜对FeSe薄膜质量的原位观察, 确定了制备多层FeSe薄膜的最佳生长条件, 为FeSe薄膜的物性研究提供了重要的材料基础.