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磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおける全電離線量誘起読取ビット誤差の研究【Powered by NICT】

Zhang Haohao, Bi Jinshun, Wang Haibin,Hu Hongyang, Li Jin,Ji Lanlong, Liu Ming

Microelectronics Reliability（2016）

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