DRAM의 성능 향상을 위한 Pre-Refresh 기법

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 지연 시간은 감지 증폭기(Sense-Amplifier)가 DRAM 셀(Cell)의 전하를 탐지하는 행 활성화(Row Activation) 시간에 좌우된다. 만약 DRAM 셀이 전하들로 완전히 충전되어 있다면, 감지 증폭기는 그 전하들을 신속하게 탐지할 수 있어서, 행 활성화 시간을 줄일 수 있을 것이다. 본 논문에서는 그러한 DRAM의 행 활성화 시간을 줄이기 위한 사전 리프레시(Pre-Refresh) 기법을 제안한다. 사전 리프레시 기술은 DRAM이 유휴 상태일 때, 접근될 것으로 예상되는 행의 모든 DRAM 셀들을 충전시킨다. 만약, 그 행의 어떤 DRAM 셀들이 곧 읽혀지거나 기록된다면, DRAM의 행 활성화 시간을 줄일 수 있다. 실험 결과에서, 사전 리프레시가 적용된 메모리 컨트롤러는 쿼드-코어 프로세서가 네 개의 PARSEC 벤치마크를 동시에 수행하는 경우, 5.49% 전력 소비를 감소시키며, 11.8%의 프로그램 실행 시간을 향상시킨다.