Si 掺杂 Al2O3电子结构的第一性原理计算

FU Chun-Ping,SUN Ling-Tao,CHENG Zheng-Fu

原子与分子物理学报（2016）

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Abstract

本文采用第一性原理对纯Al2 O3和Si掺杂的Si0.167 Al0.833 O1.5， Si0.25 Al0.75 O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发现：随着 Si 在 Al2 O3晶体中所占比例的增加，体系能隙变小，在Si0.25 Al0.75 O1.5晶体体系中能隙已降到2.5 eV，表明该体系为半导体材料；而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级，即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质；同时对比纯 Al2 O3和 Si 掺杂的Si0.167 Al0.833 O1.5， Si0.25 Al0.75 O1.5晶体体系的总态密度，发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.

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Key words

First-principles,Al2 O3,Band structures,Si-doped

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