注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 (電子デバイス)

謙志 南雲, 大幾 木本,智之 諏訪,章伸 寺本, 理一郎 白田, 信一郎 高谷,理人 黒田,成利 須川

IEICE technical report. Speech(2020)

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