Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)

А.В. Рыков,Р.Н. Крюков,И.В. Самарцев,П.А. Юнин,В.Г. Шенгуров, А.В. Зайцев, Н.В. Байдусь

Письма в журнал технической физики（2021）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

GaAs-based heterostructures grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on virtual Ge/Si substrates using an AlxGa1-xAs seed layer with different aluminum content x in the solid solution are investigated. The effect of solid solution composition on the density and size of antiphase domains emerging on the sample surface and on the optical properties of the GaAs layer is shown. Si(100) substrates with a small unintentional miscut of 0.7° to [110] were used for growth.

查看译文

关键词

algaas,выращенных газофазной эпитаксией,algaas,ge/si100

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要