一种新型浮地记忆元件建模方法及实现

忆阻器、忆容器和忆感器是具有记忆特性的非线性元件,隶属于记忆元件系统.目前,由于现有可购忆阻器芯片尚存在许多不足,且忆容器和忆感器的硬件实物研究仍处于实验室验证阶段,因此,研究者们获取此类记忆元件硬件仍有难度.为了解决这个问题,建立有效的记忆元件等效电路模型,以促进对记忆元件及其系统的特性和应用研究.本文根据忆阻器、忆容器和忆感器的本构关系,提出一种新型浮地记忆元件建模方法,即采用搭建通用模拟器的方式,在保证电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入通用模拟器的无源电路元件分别实现浮地忆阻器、忆容器和忆感器模型.相比于其他能实现3种浮地记忆元件模型的研究,本文所搭建的记忆元件模型结构简单,工作频率更高,易于电路实现.结合理论分析、PSPICE仿真及硬件电路实验结果的一致性,验证基于该通用模拟器搭建记忆元件模型的可行性和有效性.