��лияние методов получения тонких пленок оксида церия на вольт-фарадные характеристики мдп-структур

В статье рассматриваются методы получения тонких пленок оксида церия, совместимые с классической кремниевой технологией. Показано, что вольт-фарадные характеристики (ВФХ) структур алюминий – оксид церия – кремний зависят от метода получения диэлектрической пленки. Рассмотрена система зарядов на границе раздела диэлектрик-полупроводник и вблизи нее. Установлено, что на ВФХ таких структур оказывает влияние только фиксированный заряд в диэлектрике, поскольку другие типы электрического заряда отсутствуют и/или их количество пренебрежимо мало. Установлено, что МДП-структуры, полученные с использованием метода вспышки, характеризуются обратимыми изменениями напряжения плоских зон вследствие изменения величины фиксированного заряда в диэлектрике, под воздействием внешних факторов. Метод окисления металлического зеркала позволяет получить МДП-структуры с фиксированным зарядом в диэлектрике, независимым от воздействия внешних факторов. Библ. 9, рис. 13.