Ge-Sn-Te相変化メモリ材料における抵抗ドリフト抑制の化学的理解【JST・京大機械翻訳】Chen Yuhan, Sun Liang,Zhou Yuxing,M Zewdie Getasew,L Deringer Volker,Mazzarello Riccardo,Zhang WeiJournal of Materials Chemistry C(2020)引用 0|浏览12暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要