Desenvolvimento da corrosão do silício usando solução de NH4OH para a obtenção de nano fios de silício para aplicação em transistores 3D

Este trabalho apresenta o desenvolvimento da corrosao do Silicio usando solucao de NH4OH para obtencao de nano fios de Si (com dimensoes menores do que 100 nm) que sao usados como canal de conducao de corrente eletrica de transistores FinFET, que sao dispositivos MOS tridimensionais. As seguintes etapas de processo foram usadas para a fabricacao dos nano fios de Si: I) limpeza dos substratos; ii) oxidacao termica para crescimento de 100 nm de SiO2; iii) litografia para definicao de regioes expostas de Si; iv) corrosao do SiO2 com solucao de HF; v) limpeza orgânica para a retirada de fotoresiste; vi) corrosao por plasma da camada de Si sem protecao de SiO2; vii) corrosao com solucao de NH4OH para afinamento das estruturas de Si sob o SiO2; viii) corrosao do SiO2 sob os nano-fios. Para a caracterizacao, os nano-fios de Si foram analisados da forma : i) estrutural (cristalinidade e tensao, e composicao na superficie), atraves de espectroscopias Raman e XPS, ii) morfologica da superficie e secao transversal atraves da microscopia eletronica de varredura (SEM- Scanning Electron Microscopy), e rugosidade da superficie atraves da microscopia de forca atomica (AFM- Atomic Force Microscopy).