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High Performance SOI Technology for Sub-45nm Gate Length CMOS Manufacturing

Manfred Horstmann, David Greenlaw,P. Huebler, R. Stephan,Th. Feudel, A. Wei,K. Frohberg,M. Lenski,K. Wieczorek,G. Burbach,C. Schwan, P. Press, Th. Kammler, H. Bierstedt,R. Otterbach, A. Neu,M. Schaller,H. Salz,J. Hohage,H. Ruelke,J. Klais,G. Grasshoff,E. Ehrichs, S. Goad,M. Raab,N. Kepler

ECS Meeting Abstracts（2006）

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关键词
CMOS Circuits,CMOS Scaling,High-Performance Nanoscale Devices,Metal Gate Transistors,Strained-Silicon Technology
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