Resistive Switching Studies of ReRAM Devices by In-Situ TEM
Microscopy and Microanalysis(2019)
摘要
Journal Article Resistive Switching Studies of ReRAM Devices by In-Situ TEM Get access Gemma Martín, Gemma Martín MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Mireia B González, Mireia B González Institut de Microelectrònica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Aïda Varea, Aïda Varea MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Oriol Blázquez, Oriol Blázquez MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Giovanni Vescio, Giovanni Vescio MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Francesca Campabadal, Francesca Campabadal Institut de Microelectrònica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Sergi Hernández, Sergi Hernández MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Albert Cirera, Albert Cirera MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Blas Garrido, Blas Garrido MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Sònia Estradé, Sònia Estradé MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar ... Show more Francesca Peiró, Francesca Peiró MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Albert Cornet Albert Cornet MIND/IN2UB, Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona, Martí i Franquès 1, 08028 Barcelona, Spain Search for other works by this author on: Oxford Academic Google Scholar Microscopy and Microanalysis, Volume 25, Issue S1, 1 February 2019, Pages 71–72, https://doi.org/10.1017/S1431927618016082 Published: 01 February 2019
更多查看译文
关键词
resistive switching studies,reram devices,tem,in-situ
AI 理解论文
溯源树
样例
![](https://originalfileserver.aminer.cn/sys/aminer/pubs/mrt_preview.jpeg)
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要