Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии

Н.С. Потапович,Н.Х. Тимошина,В.П. Хвостиков

Письма в журнал технической физики（2018）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

AbstractWe have studied the possibility of creating laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures intended for wireless power transmission via a laser beam channel at wavelengths λ ≈ 1.06–1.2 μm.

查看译文

关键词

inpgaas/inp,inpgaas/inp,на

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要