Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (lambda=809 нм) на основе GаAs

На основе однопереходных гетероструктур AlGaAs/GaAs, полученных методом эпитаксии из жидкой фазы, созданы преобразователи лазерного излучения с длиной волны lambda=809 нм. Разработаны и протестированы фотоэлектрические модули с рабочим напряжением 4 В для преобразования излучения различной плотности. Исследованы два подхода --- без использования оптических концентрирующих систем и с применением линз Френеля. В фотоэлектрическом приемнике на основе 64 преобразователей лазерного излучения площадью 0.04 см2 и концентрирующей системы из матрицы кварцевых линз достигнут монохроматический кпд преобразования >44%. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44428.8427