电流驱动凹槽磁纳米带内斯格明子的移动特性

基于微磁学理论和模拟研究电流驱动的斯格明子的移动特性.相对于纳米带,凹槽纳米带可提供更大的边缘排斥力抑制斯格明子横向移动,最大驱动电流(Jmax)和最大斯格明子移动速度(Vmax)显著增加.随着注入电流密度的增加,凹槽纳米带内斯格明子移动速度先增加到最大速度,而后减小或保持不变.通过增加边缘宽度或厚度,Jmax和Vmax线性增加.研究凹槽纳米带边缘厚度与宽度对斯格明子移动的调制规律,并基于微磁学理论对其进行解释.为基于纳米带结构的自旋电子器件的开发提供理论依据.