西安200 MeV质子应用装置200 MeV质子辐照CCD的实验结果与分析

为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了 200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×1010cm-2时,得到了 CCD性能退化的实验结果,分析了 CCD的暗信号、暗电流密度、随机噪声、暗信号不均匀性、暗信号尖峰及其分布等暗场特性参数和饱和输出、动态范围、电荷转移效率等明场特性参数退化的实验规律和损伤机理.结果表明,200 MeV质子辐照后,CCD暗场特性参数退化显著,退火后,暗场特性参数虽有一定程度的恢复,但远未恢复到辐照前的水平;明场特性参数的退化程度相对较小,退火后,明场特性参数略有恢复.CCD的质子辐照损伤主要源于质子辐照CCD诱发产生的电离损伤和位移损伤.