腐蚀法制备工艺对SiC量子点光学性质的影响
Chemistry（2021）
摘要
通过可控的化学腐蚀法制备碳化硅量子点,以氢氟酸和硝酸的混合液为腐蚀剂腐蚀自蔓延燃烧合成的原始碳化硅粉体,而后经超声空化作用及高速离心层析裁剪获得水相的碳化硅量子点,研究了制备工艺参数对量子点光致发光强度、发射波长等光谱特性及粒子尺寸的影响,结果表明,腐蚀剂组分及其配比是影响量子点光致发光强度的主要因素,而超声振动时间和层析裁剪的离心超重力系数在一定程度上对光致发光强度有影响,二者对光学性能的影响主要体现在特征发射波长的移动、半峰宽、量子点尺寸大小及其粒径分布的均匀性.此外,在腐蚀剂组分调整的过程中发现,以适量的分析纯硫酸替代原腐蚀剂中的部分硝酸,则不仅会引起量子点光致发光强度的变化,而且表面还会偶合上除羧基、羟基外的新官能团巯基.
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