ThF4浓度对CeF3-ThF4-LiCl-KCl熔盐中Th电解沉积的影响

研究了高ThF4浓度下的CeF3-ThF4-LiCl-KCl熔盐中Th的电化学沉积行为.ThF4的质量分数从3％增加为10％时,Th(Ⅳ)的初始还原电位略微正移(从-1.75 V正移至-1.72 V,vs.Ag/AgCl).熔盐中Th(Ⅳ)浓度的增大会导致其初始还原电位正移,而F浓度的增大则导致其负移.电解沉积时,10％(质量分数,下同)ThF4体系的初始电解速率和阴极沉积量明显高于3％ThF4体系,表明Th(Ⅳ)浓度是影响Th电解速率的重要因素;而在Th(Ⅳ)浓度相同的情况下,F-浓度越大,电解速率越低.电解结果表明,0.3％CeF3-10％ThF4-LiCl-KCl四元熔盐中Th的分离率可达99.7％,而Ce几乎无析出.