Stanford B型主动脉夹层腔内修复术诱发支架远端新发破口的危险因素及防治措施进展

随着手术器械的不断改良和手术技术经验的积累, TEVAR 因其创伤小、住院时间短、恢复快、术后死亡率低等特点,成为主动脉疾病的主要治疗手段[1, 2].无论是急性期还是慢性期的Stanford B型主动脉夹层(type B aortic dissection,TBAD), TEVAR都能很好地降低手术死亡率,但远期效果仍存在忧虑,术后支架植入的长期效果、内漏、支架源性新发破口等问题越来越得到重视[3].支架诱导的新发破口(stent-graft induced new entry,SINE)被定义为支架本身引起的内膜撕裂,不包括自然疾病进展或血管内医源性的损伤 [2].TBAD的SINE可能发生在移植物的近端或远端,近段容易形成逆行 A 型主动脉夹层[4],远端的 SINE (distal stent-graft induced new entry,dSINE)可发展为一个明显的假腔,随后可能出现动脉瘤扩张和破裂[5].本文通过回顾既往文献,对TBAD术后dSINE发生的危险因素及防治措施进行综述并报告如下.