化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究

以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al2O3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr3C2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1200 s.研究了不同沉积温度对Cr3C2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响.结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr3C2薄膜.随着沉积温度的升高,Cr3C2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大.在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr3C2薄膜.同时,在实验条件下Cr3C2薄膜表面存在少量的碳和Cr2O3.