硼扩散工艺对多晶黑硅效率的影响分析
Journal of Shanxi Coal-Mining Administrators College（2021）
摘要
本文针对硼扩散下多晶黑硅的表面复合速率高光电转换效率低的问题,在多晶黑硅太阳电池片上采用了多步变温扩散工艺增加前氧化工艺方法,研究了多步硼扩散工艺下进行的方阻梯度变化情况.结果表明:多晶黑硅在背面硼扩散方阻280Ω左右的条件下,电性能最佳,方阻过高或过低均不利于电池片光电转换.
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