AgNWs-TPU/PVDF柔性薄膜电容传感器的制备和性能

用醇还原法制备长径比约为800的银纳米线(AgNWs)并分散成网状结构,用溶液流延法使用聚偏氟乙烯(PVDF)和不同质量分数的聚氨酯(TPU)制备柔韧性PVDF/TPU复合薄膜,然后将AgNWs网固定在PVDF/TPU柔性薄膜的表面作为电容的极板制备出柔性薄膜电容式传感器.用扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱和X射线衍射(XRD)等手段表征了 AgNWs的结构,使用电子强力拉伸仪、方块电阻仪、三电极系统和LCR数字电桥检测了柔性薄膜电容式传感器的性能.结果表明:网状结构的AgNWs电容单侧极板上的方阻为15.635 mΩ/sq;TPU与PVDF质量比为2∶8的薄膜其断裂伸长率为91.2％,韧性最好,其比电容为375 μF/g;随着传感器弯曲角度的增大其输出电容值随之增大,输出电容值与弯曲角度在一定范围内呈线性关系,弯曲角度为180°时输出最大电容为436 μF.