沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
Chinese Journal of Vacuum Science and Technology（2021）
Abstract
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于A1N多晶基板上制备Cu薄膜.研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响.在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式.随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱.在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度.
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