VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究
Optical Instruments（2021）
Abstract
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO2/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性.结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级.VO2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性.
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