S波段低插损FBAR陷波器的研制

该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式.对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明.测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399～2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800～2300 MHz和2500～2800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz.FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm.结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合.