同位素10B靶的制备

为准确测量10B(n,α)7Li和10B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm2的10B靶.本文系统研究了同位素10B靶的制备工艺,确定了"压片-烧结-蒸发"三步法制备10B靶.研究了基片温度对10 B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了10B靶的不均匀性.结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素10B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm2·s);灯丝平面与10B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的10B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300℃.对于尺寸为φ80 mm同位素10B靶的制备,不均匀性可控制在10％以内.已经成功在Ta和A1基片上制备了厚度＜350 μg/cm2 的10B靶用于核物理实验测量.