大功率780nm半导体激光器的设计与制备
High Power Laser and Particle Beams（2021）
摘要
设计并制备了一款780 nm半导体激光器,并进行了外腔反馈锁模研究.利用金属有机化学气相沉积技术制备了激光器外延层,采用GaAsP/GaInP作为量子阱/波导层有源区,限制层采用低折射率AlGaInP材料.采用超高真空解理钝化技术,在激光器腔面蒸镀无定形ZnSe钝化层.未钝化器件在输出功率2.5?W时发生腔面灾变损伤(COD),钝化后器件未发生COD现象,电流在10?A时输出功率10.1?W,电光转换效率54％.体布拉格光栅(VBG)外腔锁定前后,器件的光谱半峰全宽分别为2.6?nm和0.06?nm,VBG变温调控波长范围约230?pm.
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