一种2.2～4 GHz高增益低噪声放大器
Microelectronics（2021）
Abstract
采用0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2～4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA).通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计.测试结果表明,2.2～4 GHz频段增益大于24 dB,输出3阶互调(OIP3)为28 dBm,噪声系数(NF)小于0.78 dB,功耗为190 mW,芯片面积为(810×710)μm2.综合指标(FOM)为14.4 dB,与同类LNA相比具有一定的优势.
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