群集式磁控溅射设备及工艺研究

China Integrated Circuit（2021）

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摘要

本文介绍了一种专用于红外器件ZnS/CdTe双层钝化膜工艺的群集式磁控溅射设备.通过正交实验探索不同靶基距、靶偏心距对薄膜均匀性的影响,结果表明在靶基距为100 mm～160 mm、偏心距为160 mm～190 mm时,所沉积的ZnS薄膜均匀性优于5％,满足红外器件钝化膜层制备工艺需求.

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