Анизотропия транспортных и магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии

В настоящей работе приводятся результаты измерения температурной зависимости сопротивления твердых растворов Ga(1-х)MnхAs со значением х=0.0156. Установлено, что температурные зависимости сопротивления, измеренные вдоль кристаллических осей [110] и [110] в области температур ниже 150 К, носят существенно различный характер. Показано, что при температурах ниже температуры Кюри данные различия могут быть связаны с анизотропией магнитных свойств эпитаксиального слоя Ga(1-х)MnхAs, тогда как при температурах выше температуры Кюри, наблюдаемые различия могут быть связаны с анизотропией подвижности носителей заряда, возникающей из-за наличия в объеме эпитаксиального слоя пространственно ориентированных структур.