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Effect of Film Thickness and Temperature on the Resistive Switching Characteristics of the Pt/HfO2/Al2O3/TiN Structure

Yulin Liu,Sha Ouyang,Jie Yang,Minghua Tang,Wei Wang,Gang Li,Zhi Zou,Yifan Liang,Yucheng Li,Yongguang Xiao,Shaoan Yan,Qilai Chen,Zheng Li

Solid-state electronics（2020）

引用 15|浏览32

关键词

RRAM,Pt/HfO2/Al2O3/TiN,Film thickness,Temperature

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