Organischer resistiver Direktzugriffsspeicher (RRAM) und dessen Herstellungsverfahren

Ein organischer resistiver Direktzugriffsspeicher (RRAM) und dessen Herstellungsverfahren. Die Vorrichtung verwendet Tragermaterial aus Silizium und weist ferner eine MIM-Verdichtungsstruktur sowie eine obere und untere Schichtstruktur, eine Top-Elektrode aus Al, eine Bodenelektrode aus ITO und eine mittlere Funktionsschicht aus Parylen auf. Das Parylen der Funktionsschicht wird mehrfach abgeschieden und eine Schicht aus Al2O3 wird durch ALD-Abscheidung zwischen jeweils zwei Parylen-Abscheidungsvorgangen gebildet, wobei ein Bereich ausgebildet wird, der die Herstellung eines elektrisch leitfahigen Kanals durch Steuern der Abscheidungsflache des Al2O3 begunstigt und so die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung bestimmt. Sollte in einem Anwendungsfall die Grundstruktur der Vorrichtung nicht geandert werden, wird die Gleichformigkeit der wiederholten Vorgange hinsichtlich einer Vorrichtung sowie die Gleichformigkeit auch bei unterschiedlichen Vorrichtungen wirkungsvoll verbessert.