新型磁电阻探索与多态数据存储应用

随着现代信息存储与通信技术的快速发展,人们希望新型的电子器件能兼具低功耗、非易失、高密度等优异性能,甚至能实现信息的存储、处理与通信三位一体的功能,因而对材料和器件的研究提出了巨大的挑战.为满足上述需求,我们课题组一方面在多种新材料和器件中探索新的磁电阻效应,深入理解自旋相关输运的物理机理,进而获得有效调控自旋相关输运的新途径;另一方面,基于多物理效应调控材料和器件的磁电阻,进而获得可用于多态信息存储的自旋电子学原型器件.在新型磁电阻探索方面,本文将介绍非晶浓磁半导体的负磁电阻、单晶CoZnO磁性半导体硬带跃迁区的正磁电阻、非磁肖特基异质结中的新型整流磁电阻以及非对称势垒磁性隧道结中的隧穿整流磁电阻.在多态数据存储方面,本文将介绍氧化物异质结中可用电磁场调控的4电阻态、磁性异质结中基于剩磁调控的10电阻态以及磁性单层膜中基于自旋轨道矩效应的10电阻态.