晶体氧含量与硅单晶直拉工艺关系的研究

　　单晶硅氧含量的高低，直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率[1]。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应，决定了直拉单晶硅棒氧含量处于较高的水平，尤其是单晶硅棒头部，影响了晶体质量。本文通过计算机模拟仿真，结合工艺试验，研究氩气流量、坩埚转速、坩埚位置对晶体氧含量的影响。