Zintl相化合物Sr3Ga2M4(M=P,As)的电子结构和成键特征
Journal of Henan University(Natural Science)（2016）
摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr3Ga2M4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr3Ga2P4和Sr3Ga2As4的带隙分别为0.99 eV和0.74 eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性.
更多关键词
band gap,electronic localization function(ELF),narrow band gap semiconductor
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