MoTe2的电子结构及光学性质的理论研究

利用密度泛函理论第一性原理方法对MoTe2的能带结构、能态密度和光学性质进行了理论计算,得到能带结构、态密度、光吸收谱、能量损失谱和介电函数等光学性质.结果表明:MoTe2具有间接带隙宽度为1.066 eV的半导体材料,价带主要由Mo的5s4p价电子和Te的5s5p价电子起主要作用;导带由Mo和Te的4d价电子起主要作用.由获得的光学性质可知,介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区;位于可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为2.84×105cm-1;同时在光子能量为16.40 eV处出现了共振现象,其它区域内电子之间共振非常微弱.这些光学性质奠定了该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用.